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TK8A50D

更新时间: 2024-09-29 19:29:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 262K
描述
TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power

TK8A50D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SC-67包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.7
雪崩能效等级(Eas):165 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.85 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):32 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TK8A50D 数据手册

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TK8A50D  
東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS(π-MOS)  
TK8A50D  
スイッチングレギュレータ用  
単位: mm  
z オン抵抗が低い。 : R  
= 0.7 Ω (標準)  
DS (ON)  
z 順方向伝達アドミタンスが高い。: Y = 4.0 S (標準)  
fs  
z 漏れ電流が低い。 : I  
= 10μA (最大) (V = 500 V)  
DS  
DSS  
z 取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。  
: V = 2.04.0 V (V = 10 VI = 1 mA)  
th  
DS  
D
絶対最大定格 (Ta = 25)  
項目  
記号  
定格  
単位  
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧  
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧  
V
V
500  
±30  
8
V
V
DSS  
GSS  
DC  
(1)  
I
D
ド レ イ ン 電 流  
A
パルス (t = 1ms)  
(1)  
I
32  
DP  
(Tc=25)  
P
40  
165  
W
mJ  
A
D
JEDEC  
アバランシェエネルギー(単発) (2)  
ア バ ラ ン シ ェ 電 流  
アバランシェエネルギー(連続) (3)  
E
I
AS  
8
JEITA  
SC-67  
2-10U1B  
AR  
E
4.0  
mJ  
AR  
東 芝  
T
ch  
150  
質量: 1.7 g (標準)  
T
stg  
55150  
: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても, 高負荷 (高温および大電  
/高電圧印加, 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は, 信頼性が著しく低下するおそれがあります。  
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ  
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート, 推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設計をお願いします。  
熱抵抗特性  
項目  
記号  
最大  
単位  
2
チ ャ ネ ル ・ ケ ー ス 間 熱 抵 抗  
チ ャ ネ ル ・ 外 気 間 熱 抵 抗  
R
R
3.125  
62.5  
/ W  
/ W  
th (ch-c)  
th (ch-a)  
1
1: チャネル温度150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。  
2: アバランシェエネルギー (単発) 印加条件  
V
DD  
= 90 V, T = 25(初期) , L = 4.4 mH, R = 25 Ω, I  
= 8 A  
AR  
ch  
G
3: 連続印加の際, パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。  
この製品MOS 構造です。取り扱いの際には, 静電気にご注意ください。  
3
1
2010-06-03  

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