Datasheet > TK70J04K3Z

TK70J04K3Z

更新时间： 2024-09-24 12:05:43

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		驱动器转换器稳压器开关电机
页数	文件大小	规格书
9页	244K
描述
Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TK70J04K3Z 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	184 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A	最大漏极电流 (ID)：	70 A
最大漏源导通电阻：	0.0041 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	280 A	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TK70J04K3Z 数据手册

TK70J04K3Z

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)

TK70J04K3Z

1. Applications

•

Switching Voltage Regulators

DC-DC Converters

Motor Drivers

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 40 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate

2: Drain (heatsink)

3: Source

TO-3P(N)

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

±20

(Note 1)

IDP

280

(Tc = 25)

125

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 2)

EAS

IAR

184

Channel temperature

Storage temperature

(Note 3)

Tch

Tstg

175



-55 to 175

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2012-02-17

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与TK70J04K3Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TK70J06K3	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
TK70J06K3(F)	TOSHIBA	获取价格	TK70J06K3(F)
TK70J06K3(Q)	TOSHIBA	获取价格	TK70J06K3(Q)
TK70J20D	TOSHIBA	获取价格	Switching Voltage Regulators
TK70S1A3B2T2	GREATECS	获取价格	High Capacity Toggle Switches up to 20A
TK70S3A3B2T2	GREATECS	获取价格	High Capacity Toggle Switches up to 20A
TK70X04K3	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 70 A, 40 V, 0.0056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-9F1S, T
TK70X04K3(TE24L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,70A I(D),SMT
TK70X04K3Z	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
TK70X06K3	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 70 A, 60 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-9F1C, SC

与TK70J04K3Z相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

6
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

11
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

79
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

71

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TK70J04K3Z

TK70J04K3Z 技术参数

TK70J04K3Z 数据手册

与TK70J04K3Z相关器件

与TK70J04K3Z相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TK70J04K3Z

TK70J04K3Z 技术参数

TK70J04K3Z 数据手册

与TK70J04K3Z相关器件

与TK70J04K3Z相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？