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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TK3A60DA
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TK3A60DA

更新时间： 2024-11-05 12:23:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 203K
描述
Switching Regulator Applications

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TK3A60DA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SC-67包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：180 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A最大漏极电流 (ID)：2.5 A
最大漏源导通电阻：2.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TK3A60DA 数据手册

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TK3A60DA  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)  
TK3A60DA  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON-resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | = 1.5 S (typ.)  
= 2.2 Ω(typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 μA (max) (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 2.4 to 4.4 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
600  
±30  
2.5  
10  
V
V
DSS  
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
1: Gate  
2: Drain  
Pulse (Note 1)  
I
DP  
3: Source  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
30  
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
180  
mJ  
(Note 2)  
JEDEC  
JEITA  
⎯
Avalanche current  
I
2.5  
3.0  
A
SC-67  
2-10U1B  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
TOSHIBA  
Weight: 1.7 g (typ.)  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating  
Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
2
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
4.17  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
1
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 50 mH, R = 25 Ω, I = 2.5 A  
V
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
3
1
2010-08-30  
123456

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