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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TK25A10K3
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TK25A10K3

更新时间： 2024-09-23 12:20:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 312K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV)

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TK25A10K3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：SC-67包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：39 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TK25A10K3 数据手册

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TK25A10K3  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV)  
TK25A10K3  
Swiching Regulator Applications  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 31 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
Unit: mm  
High forward transfer admittance: |Y | = 50 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 μA (max) (V  
= 100 V)  
DSS  
DS  
Enhancement-model: V = 2.0 to 4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
100  
100  
±20  
25  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
50  
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
25  
W
D
AS  
AR  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Single pulse avalanche energy  
E
39  
mJ  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
25  
1.72  
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
JEDEC  
JEITA  
⎯
T
150  
ch  
SC-67  
2-10U1B  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
TOSHIBA  
Weight: 1.7 g (typ.)  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: = 25 V, T = 25°C, L = 100 μH, R = 25 Ω, I = 25 A  
V
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating; pulse width limited by maximum channel temperature.  
Thermal Characteristics  
2
Characteristics  
Symbol  
Max  
5.0  
Unit  
1
Thermal resistance, channel to case  
R
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
th (ch−a)  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
62.5  
3
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2009-03-23  
123456

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