Datasheet > TK100F04K3L

TK100F04K3L

更新时间： 2024-11-21 20:11:35

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	279K
描述
Nch 30V<VDSS≤60V

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TK100F04K3L 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
雪崩能效等级（Eas）：	125 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TK100F04K3L 数据手册

TK100F04K3L

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)

TK100F04K3L

1. Applications

•

Switching Voltage Regulators

DC-DC Converters

Motor Drivers

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.5 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 40 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate

2: Drain (Heatsink)

3: Source

TO-220SM(W)

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

±20

(Note 1)

100

IDP

300

(Tc = 25)

180

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 2)

EAS

IAR

125

100

Channel temperature

Storage temperature

(Note 3)

Tch

Tstg

175



-55 to 175

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2011-09-26

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与TK100F04K3L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TK100F06K3	TOSHIBA	获取价格	Swiching Regulator,DC-DC Converter Applications Motor Drine Applications
TK100F06K3(TE24L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,100A I(D),TO-263ABVAR
TK100F06K3(TE24L,Q)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,100A I(D),TO-263ABVAR
TK100L60W	TOSHIBA	获取价格	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
TK100L60W(F)	TOSHIBA	获取价格	TK100L60W(F)
TK100S04N1L	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 40 V, 100 A, 0.0023 Ω@10V, DPAK+
TK10202AM9	TOKO	获取价格	Half Bridge Based Peripheral Driver, HSON-8
TK10202AM9G0B	AKM	获取价格	Half Bridge Based Peripheral Driver, PDSO8, 3 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, HALOGEN AND LEAD FRE
TK10202AM9G0B	TOKO	获取价格	Micro Peripheral IC
TK10203AM9	TOKO	获取价格	Half Bridge Based Peripheral Driver, HSON-10

与TK100F04K3L相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TK100F04K3L

TK100F04K3L 技术参数

TK100F04K3L 数据手册

与TK100F04K3L相关器件

与TK100F04K3L相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TK100F04K3L

TK100F04K3L 技术参数

TK100F04K3L 数据手册

与TK100F04K3L相关器件

与TK100F04K3L相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？