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TK100F04K3L

更新时间： 2024-11-06 20:11:35

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东芝 - TOSHIBA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	279K
描述
Nch 30V<VDSS≤60V

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TK100F04K3L 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
雪崩能效等级（Eas）：	125 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TK100F04K3L 数据手册

TK100F04K3L

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)

TK100F04K3L

1. Applications

•

Switching Voltage Regulators

DC-DC Converters

Motor Drivers

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.5 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 40 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate

2: Drain (Heatsink)

3: Source

TO-220SM(W)

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

±20

(Note 1)

100

IDP

300

(Tc = 25)

180

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 2)

EAS

IAR

125

100

Channel temperature

Storage temperature

(Note 3)

Tch

Tstg

175



-55 to 175

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2011-09-26

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...10

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