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TK100E06N1

更新时间： 2024-11-21 14:56:47

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东芝 - TOSHIBA		/
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9页	244K
描述
N-ch MOSFET, 60 V, 0.0023 Ω@10V, TO-220, U-MOSⅧ-H

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TK100E06N1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Samacsys Description：	Toshiba TK100E06N1 N-channel MOSFET Transistor, 263 A, 60 V, 3-Pin TO-220	雪崩能效等级（Eas）：	413 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0023 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	255 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	627 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TK100E06N1 数据手册

TK100E06N1

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

TK100E06N1

1. Applications

•

Switching Voltage Regulators

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 60 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate

2: Drain (heatsink)

3: Source

TO-220

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

±20

(Silicon limit)

(Note 1), (Note 2)

(Note 1), (Note 3)

(Note 1)

263

100

(t = 1 ms)

IDP

627

(Tc = 25)

255

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 4)

EAS

IAR

413

100

Channel temperature

Storage temperature

Tch

Tstg

150



-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Start of commercial production

2012-04

2014-06-30

Rev.4.0

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TK100E08N1	TOSHIBA	获取价格	Switching Voltage Regulators
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TK100F04K3L	TOSHIBA	获取价格	Nch 30V<VDSS≤60V
TK100F06K3	TOSHIBA	获取价格	Swiching Regulator,DC-DC Converter Applications Motor Drine Applications
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