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TIP49G

更新时间： 2024-11-23 08:48:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关高压局域网
页数 文件大小 规格书
6页 154K
描述
High Voltage NPN Silicon Power Transistors

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TIP49G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

TIP49G 数据手册

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TIP47G, TIP48G, TIP50G  
High Voltage NPN Silicon  
Power Transistors  
This series is designed for line operated audio output amplifier,  
SWITCHMODEt power supply drivers and other switching  
applications.  
http://onsemi.com  
Features  
• 250 V to 400 V (Min) − V  
CEO(sus)  
1.0 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
NPN SILICON  
250−300−400 VOLTS  
40 WATTS  
• 1 A Rated Collector Current  
• Popular TO−220 Plastic Package  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol TIP47 TIP48 TIP50 Unit  
MARKING  
DIAGRAM  
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
Collector Current  
V
250  
350  
300  
400  
5.0  
400  
500  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CEO  
V
CB  
4
V
EB  
I
C
TIPxxG  
AYWW  
1.0  
2.0  
− Continuous  
− Peak  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 1  
Base Current  
I
B
0.6  
Adc  
1
Total Power Dissipation  
P
D
2
3
@ T = 25_C  
40  
0.32  
C
W
W/_C  
Derate above 25_C  
TIPxx  
xx  
A
Y
WW  
G
= Device Code  
= 47, 48, or 50  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25_C  
2.0  
0.016  
= Assembly Location  
= Year  
C
W
Derate above 25_C  
W/_C  
mJ  
= Work Week  
Unclamped Inducting Load  
Energy (See Figure 8)  
E
20  
= Pb−Free Package  
Operating and Storage  
Junction Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
_C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
R
3.125  
°C/W  
q
JC  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
62.5  
°C/W  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2010 − Rev. 8  
TIP47/D  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP49J69Z FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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 		1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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