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TIP42B-BP-HF

更新时间： 2024-09-09 19:42:47
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 280K
描述
Power Bipolar Transistor,

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TIP42B-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.57峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

TIP42B-BP-HF 数据手册

 浏览型号TIP42B-BP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
TIP42/42A/42B/42C  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Silicon PNP  
•
·
·
The complementary NPN types are the TIP41 respectively  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Power Transistors  
Moisure Sensitivity Level 1  
•
•
Marking : Part Number  
Mounting Torgue: 5 in-lbs Maximum  
Absolute Maximum Ratings @ T  
a
= 25℃ (unless otherwise noted)  
TO-220  
Symbol  
VCBO  
TIP42  
TIP42A  
TIP42B  
TIP42C  
Parameter  
Value  
Unit  
C
B
-40  
-60  
-80  
Collector-base voltage  
(Open emitter)  
V
S
F
-100  
Q
VCEO  
TIP42  
TIP42A  
TIP42B  
TIP42C  
-40  
-60  
-80  
T
Collector-emitter voltage  
(Open base)  
V
A
-100  
U
VEBO  
IC  
Emitter-base Voltage (Open collector)  
Collector Current  
-5  
-6  
V
A
1
2
3
ICM  
IB  
Collector Current Pulse  
Base Current  
-10  
-2  
A
A
H
Total Device Dissipation(Ta=25℃)  
-2  
W
PC  
K
Total Device Dissipation(Tc=25℃)  
65  
150  
W
℃
℃
TJ  
Junction Temperature  
TSTG  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
V
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
L
J
D
R
Parameter  
Min  
Max  
Units  
Symbol  
G
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
COLLECTOR  
EMITTER  
VCEO(SUS)  
-40  
-60  
-80  
N
TIP42  
Collector-emitter sustaining voltage  
( IC=-30mA; IB=0)  
V
TIP42A  
TIP42B  
TIP42C  
-100  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
Collector-emitter Saturation Voltage  
( IC=-6A IB=-0.6A )  
VCE(sat)  
VBE  
-1.5  
-2.0  
V
V
MIN  
14.22  
9.65  
MAX  
15.88  
10.67  
NOTE  
DIM  
A
MIN  
MAX  
.625  
.560  
.380  
.140  
Base-emitter Voltage  
( IC=-6A ; VCE=-4V )  
Collector cut-off current  
(VCE=-40V; VEB=0)  
(VCE=-60V; VEB=0)  
(VCE=-80V; VEB=0)  
(VCE=-100V; VEB=0)  
Collector cut-off current  
(VCE=-30V; VEB=0)  
(VCE=-60V; VEB=0)  
Emitter cut-off current  
(VEB=-5V; IC=0)  
DC current gain  
(IC=-0.3A ; VCE=-4V)  
(IC=-3A ; VCE=-4V)  
Transition frequency  
( IC=-0.5A ; VCE=-10V)  
B
C
.420  
.190  
3.56  
4.82  
ICES  
TIP42  
TIP42A  
TIP42B  
TIP42C  
D
F
.020  
.139  
.190  
---  
.045  
.161  
.110  
.250  
.025  
0.51  
3.53  
2.29  
---  
1.14  
4.09  
2.79  
6.35  
0.64  
-0.4  
-0.7  
mA  
G
H
J
.012  
0.30  
ICEO  
TIP42/42A  
TIP42B/C  
K
L
.500  
.045  
.580  
.060  
12.70  
1.14  
14.73  
1.52  
mA  
mA  
N
.190  
.210  
4.83  
5.33  
Q
R
S
T
U
V
.100  
.080  
.045  
.230  
-----  
.135  
.115  
.055  
.270  
.050  
-----  
2.54  
2.04  
1.14  
5.84  
-----  
3.43  
2.92  
1.39  
6.86  
1.27  
-----  
IEBO  
hfe  
fT  
-1.0  
75  
30  
15  
.045  
1.15  
3
MHZ  
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
www.mccsemi.com  
Revision: C  
2013/01/01  
1 of 2  
12

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