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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP42A
TIP42A PDF预览

TIP42A

更新时间： 2024-11-18 12:20:07
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WEITRON 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 778K
描述
PNP Silicon Epitaxial Power Transistor

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TIP42A 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.08
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

TIP42A 数据手册

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TIP42/42A/42B/42C  
PNP Silicon Epitaxial Power Transistor  
P b  
Lead(Pb)-Free  
COLLECTOR  
2
1
BASE  
1
2
3
Features:  
* Medium Power Linear Switching Applications  
* Complement to TIP41/41A/41B/41C  
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
TO-220  
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
TIP42  
TIP42A  
TIP42B  
-80  
TIP42C  
-100  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-40  
-60  
-40  
-60  
-80  
-100  
V
-5  
-6  
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
A
PC  
2
W
℃
℃
TJ  
150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
-55to+150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
MIN  
MAX  
UNIT  
Collector-base breakdown voltage  
TIP42  
TIP42A  
TIP42B  
TIP42C  
-40  
-60  
V(BR)CBO  
IC= -1mA, IE=0  
V
-80  
-100  
Collector-emitter breakdown voltage  
TIP42  
-40  
-60  
-80  
-100  
-5  
TIP42A  
TIP42B  
TIP42C  
*
V(BR)CEO  
IC= -30mA, IB=0  
V
V
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)EBO  
IE= -1mA, IC=0  
VCB=-40V, IE=0  
TIP42  
TIP42A  
VCB=-60V, IE=0  
VCB=-80V, IE=0  
VCB=-100V, IE=0  
ICBO  
-0.4  
mA  
TIP42B  
TIP42C  
VCE= -30V, IB= 0  
VCE= -60V, IB= 0  
VEB=-5V, IC=0  
Collector cut-off current  
TIP42/42A  
TIP42B/42C  
ICEO  
-0.7  
-1  
mA  
mA  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
IEBO  
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE  
VCE=-4V, IC=-0.3A  
VCE=-4 V, IC= -3A  
IC=-6A, IB=-0.6A  
VCE=-4V, IC=-6A  
VCE=-10V,IC=-0.5  
30  
15  
75  
-1.5  
-2  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
Transition frequency  
*Pulse test  
V
V
fT  
3
MHZ  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
1/3  
17-Nov-08  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP42A_09 FAIRCHILD

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