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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP41C
TIP41C PDF预览

TIP41C

更新时间： 2024-11-04 12:20:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管开关PC局域网
页数 文件大小 规格书
2页 344K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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TIP41C 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.03
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：969666Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-220Samacsys Released Date：2020-01-12 13:12:20
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：65 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

TIP41C 数据手册

 浏览型号TIP41C的Datasheet PDF文件第2页 
TIP41  
TIP41A  
TIP41B  
TIP41C  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTOR  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR TIP41 SERIES  
types are NPN Epitaxial-Base Silicon Power  
Transistors designed for power amplifier and high  
speed switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-220 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C UNITS  
C
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
40  
60  
80  
100  
V
CBO  
CEO  
EBO  
40  
60  
80  
100  
V
5.0  
6.0  
10  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
A
C
I
A
CM  
I
2.0  
65  
A
B
P
W
W
°C  
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
A
Operating and Storage Junction Temperature  
P
2.0  
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=30V (TIP41, TIP41A)  
0.7  
0.7  
0.4  
1.0  
mA  
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
CE  
CE  
CE  
EB  
=60V (TIP41B, TIP41C)  
mA  
mA  
mA  
V
=Rated V  
=5.0V  
CEO  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =30mA (TIP41)  
40  
60  
CEO  
CEO  
CEO  
CEO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
I =30mA (TIP41A)  
V
C
I =30mA (TIP41B)  
80  
V
C
I =30mA (TIP41C)  
100  
V
C
V
V
I =6.0A, I =0.6A  
1.5  
2.0  
V
C
B
V
=4.0V, I =6.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
h
h
h
V
V
V
V
=4.0V, I =0.3A  
30  
15  
20  
3.0  
C
=4.0V, I =3.0A  
75  
FE  
C
=10V, I =0.5A, f=1.0kHz  
fe  
C
f
t
t
=10V, I =0.5A, f=1.0MHz  
MHz  
μs  
T
C
I =6.0A, I = I =0.6A, R =5.0Ω  
0.6  
1.0  
on  
off  
C
B1 B2  
L
I =6.0A, I = I =0.6A, R =5.0Ω  
μs  
C
B1 B2  
L
R1 (13-December 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP41C_07 STMICROELECTRONICS

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TIP41C_08 FAIRCHILD

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TIP41C_11 UTC

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TIP41C_15 UTC

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 		NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
TIP41C16 MOTOROLA

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 		6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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 		7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP41C-6258 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

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