TIP35B

更新时间： 2024-01-02 07:42:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	161K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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TIP35B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

TIP35B 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

TIP35/35A/35B/35C

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type TIP36/36A/36B/36C

·DC current gain h_FE=25(Min)@I_C=1.5A

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose

power amplifier and switching applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

TIP35

TIP35A

TIP35B

TIP35C

TIP35

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

100

TIP35A

TIP35B

TIP35C

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

Collector current-peak

Base current

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

125

150

-65~150

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.0

℃/W

12 3 4

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