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TIP32C

更新时间： 2024-09-17 14:53:11

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
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2页	862K
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双极型晶体管

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TIP32C 技术参数

极性：	PNP	Collector-emitter breakdown voltage：	100
Collector Current - Continuous：	3	DC current gain - Min：	10
DC current gain - Max：	50	Transition frequency：	3
Package：	TO-220AB	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

TIP32C 数据手册

TIP32/32A/32B/32C

TO-220 Transistor (PNP)

TO-220

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Features

Medium Power Linear Switching Applications

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Dimensions in inches and (millimeters)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

TIP32

-40

TIP32A

-60

TIP32B

-80

TIP32C

-100

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-40

-60

-80

-100

-5

-3

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_C

℃

T_j

150

-55to+150

T_stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

TIP32

TIP32A

TIP32B

TIP32C

-40

-60

V(BR)_CBOI_C= -1mA, I_E=0

-80

-100

Collector-emitter breakdown voltage *

TIP32

-40

-60

-80

-100

-5

TIP32A

TIP32B

TIP32C

V(BR)_CEOI_C= -30mA, I_B=0

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V(BR)_EBOI_E= -1mA, I_C=0

V_CB=-40V,I_E=0

TIP32

TIP32A

V_CB=-60V, I_E=0

V_CB=-80V, I_E=0

V_CB=-100V, I_E=0

I_CBO

-200

μA

TIP32B

TIP32C

I_CEO

V_CE= -30V, I_B= 0

_CE= -60V, I_B= 0

Collector cut-off current

TIP32/32A

TIP32B/32C

-0.3

-1

Emitter cut-off current

DC current gain

I_EBO

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(on)

f_T

V_EB=-5V, I_C=0

V_CE= -4V, I_C=-1A

V_CE=-4 V, I_C=-3A

I_C=-3A, I_B=-0.375A

V_CE=-4V, I_C=-3A

V_CE=-10V , I_C=-0.5A

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

-1.2

-1.8

Transition frequency

MH_Z

* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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