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TIP32C PDF预览

TIP32C

更新时间: 2024-11-06 03:59:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Medium Power Linear Switching Applications

TIP32C 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:4.13
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):40 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):3 MHz

TIP32C 数据手册

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TIP32 Series(TIP32/32A/32B/32C)  
Medium Power Linear Switching Applications  
Complement to TIP31/31A/31B/31C  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage : TIP32  
- 40  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
: TIP32A  
: TIP32B  
: TIP32C  
- 100  
Collector-Emitter Voltage : TIP32  
- 40  
- 60  
- 80  
-100  
V
V
V
V
: TIP32A  
: TIP32B  
: TIP32C  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 5  
V
A
I
I
I
- 3  
C
- 5  
A
CP  
B
- 3  
A
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
2
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP32  
I
= - 30mA, I = 0  
-40  
-60  
-80  
V
V
V
V
C
B
: TIP32A  
: TIP32B  
: TIP32C  
-100  
I
Collector Cut-off Current  
: TIP32/32A  
CEO  
V
V
= - 30V, I = 0  
- 0.3  
- 0.3  
mA  
mA  
CE  
CE  
B
: TIP32B/32C  
= - 60V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP32  
CES  
V
V
V
V
= - 40V, V = 0  
- 200  
- 200  
- 200  
- 200  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
EB  
: TIP32A  
: TIP32B  
: TIP32C  
= - 60V, V = 0  
EB  
= - 80V, V = 0  
EB  
= - 100V, V = 0  
CE  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= - 5V, I = 0  
- 1  
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= - 4V, I = - 1A  
25  
10  
FE  
CE  
CE  
C
= - 4V, I = - 3A  
50  
- 1.2  
- 1.8  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I
= - 3A, I = - 375mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
(sat)  
V
V
= - 4V, I = - 3A  
C
CE  
CE  
f
= - 10V, I = - 500mA  
3.0  
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW300µs, Duty Cycle2%  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  

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