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TIP30B PDF预览

TIP30B

更新时间： 2024-11-30 14:51:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
4页 492K
描述
80V,1A,2W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch

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TIP30B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.11
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

TIP30B 数据手册

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TIP30  
TIP30A  
TIP30B  
TIP30C  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SILICON  
PNP POWER TRANSISTORS  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR TIP30 series devices  
are silicon PNP epitaxial-base power transistors designed  
for power amplifier and high speed switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-220 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL TIP30 TIP30A TIP30B TIP30C UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
40  
60  
80  
100  
V
CBO  
CEO  
EBO  
40  
60  
80  
100  
V
5.0  
1.0  
3.0  
0.4  
30  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
A
C
I
A
CM  
I
A
B
P
W
W
°C  
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
A
Operating and Storage Junction Temperature  
P
2.0  
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=30V (TIP30, TIP30A)  
0.3  
0.3  
0.2  
1.0  
mA  
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
CE  
CE  
CE  
EB  
=60V (TIP30B, TIP30C)  
mA  
mA  
mA  
V
=Rated V  
=5.0V  
CEO  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =30mA (TIP30)  
40  
60  
CEO  
CEO  
CEO  
CEO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
I =30mA (TIP30A)  
V
C
I =30mA (TIP30B)  
80  
V
C
I =30mA (TIP30C)  
100  
V
C
V
V
I =1.0A, I =125mA  
0.7  
1.3  
V
C
B
V
=4.0V, I =1.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
h
h
h
V
V
V
V
=4.0V, I =0.2A  
40  
15  
20  
3.0  
C
=4.0V, I =1.0A  
75  
FE  
C
=10V, I =0.2A, f=1.0kHz  
fe  
C
f
t
t
=10V, I =0.2A, f=1.0MHz  
MHz  
μs  
T
C
I =1.0A, I = I =0.1A, R =30Ω  
0.3  
1.0  
on  
off  
C
B1 B2  
L
I =1.0A, I = I =0.1A, R =30Ω  
μs  
C
B1 B2  
L
R1 (12-March 2014)  
1234

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TIP30B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP30G ONSEMI

功能相似

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors

与TIP30B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP30B16 MOTOROLA

获取价格

 		1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30B16A MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP30B-6200 RENESAS

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 		3A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30B-6203 RENESAS

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