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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP30B
TIP30B PDF预览

TIP30B

更新时间： 2024-11-29 05:55:19
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 141K
描述
1 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 80-100 VOLTS 30 WATTS

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TIP30B 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.05外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：30 W最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzVCEsat-Max：0.7 V
Base Number Matches：1

TIP30B 数据手册

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by TIP29B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.  
Compact TO–220 AB package.  
MAXIMUM RATINGS  
TIP29B  
TIP30B  
TIP29C  
TIP30C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
1 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
1.0  
3.0  
80–100 VOLTS  
30 WATTS  
Base Current  
I
B
0.4  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
30  
0.24  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
Unclamped Inductive Load Energy  
(See Note 3)  
E
32  
mJ  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
62.5  
C/W  
C/W  
θJA  
4.167  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
TIP29B, TIP30B  
TIP29C, TIP30C  
V
80  
100  
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
C
B
Collector Cutoff Current (V  
= 60 Vdc, I = 0)  
I
CEO  
—
0.3  
mAdc  
CE  
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 80 Vdc, V  
= 100 Vdc, V  
EB  
= 0)  
= 0)  
TIP29B, TIP30B  
TIP29C, TIP30C  
—
—
200  
200  
EB  
Emitter Cutoff Current (V  
BE  
= 5.0 Vdc, I = 0)  
I
—
1.0  
mAdc  
—
C
EBO  
ON CHARACTERISTICS (1)  
DC Current Gain (I = 0.2 Adc, V  
= 4.0 Vdc)  
= 4.0 Vdc)  
h
FE  
40  
15  
—
75  
C
CE  
CE  
DC Current Gain (I = 1.0 Adc, V  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 1.0 Adc, I = 125 mAdc)  
V
CE(sat)  
—
—
0.7  
1.3  
Vdc  
Vdc  
C
B
Base–Emitter On Voltage (I = 1.0 Adc, V  
C
= 4.0 Vdc)  
V
BE(on)  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product (2)  
f
3.0  
20  
—
—
MHz  
—
T
(I = 200 mAdc, V  
C CE  
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)  
test  
Small–Signal Current Gain (I = 0.2 Adc, V  
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
h
fe  
C
CE  
(1) Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle 2.0%.  
(2) f = h • f  
.
T
fe test  
(3) This rating based on testing with L = 20 mH, R  
C
= 100 Ω, V = 10 V, I = 1.8 A, P.R.F = 10 Hz.  
CC C  
BE  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP30B16 MOTOROLA

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 		1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30B16A MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP30B-6200 RENESAS

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