5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP30B
TIP30B PDF预览

TIP30B

更新时间： 2024-09-15 05:55:19
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 141K
描述
1 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 80-100 VOLTS 30 WATTS

阅读下载

中文翻译

获取价格

TIP30B 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.05外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：30 W最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzVCEsat-Max：0.7 V
Base Number Matches：1

TIP30B 数据手册

 浏览型号TIP30B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TIP30B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TIP30B的Datasheet PDF文件第4页 
Order this document  
by TIP29B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.  
Compact TO–220 AB package.  
MAXIMUM RATINGS  
TIP29B  
TIP30B  
TIP29C  
TIP30C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
1 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
1.0  
3.0  
80–100 VOLTS  
30 WATTS  
Base Current  
I
B
0.4  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
30  
0.24  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
Unclamped Inductive Load Energy  
(See Note 3)  
E
32  
mJ  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
62.5  
C/W  
C/W  
θJA  
4.167  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
TIP29B, TIP30B  
TIP29C, TIP30C  
V
80  
100  
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
C
B
Collector Cutoff Current (V  
= 60 Vdc, I = 0)  
I
CEO  
—
0.3  
mAdc  
CE  
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 80 Vdc, V  
= 100 Vdc, V  
EB  
= 0)  
= 0)  
TIP29B, TIP30B  
TIP29C, TIP30C  
—
—
200  
200  
EB  
Emitter Cutoff Current (V  
BE  
= 5.0 Vdc, I = 0)  
I
—
1.0  
mAdc  
—
C
EBO  
ON CHARACTERISTICS (1)  
DC Current Gain (I = 0.2 Adc, V  
= 4.0 Vdc)  
= 4.0 Vdc)  
h
FE  
40  
15  
—
75  
C
CE  
CE  
DC Current Gain (I = 1.0 Adc, V  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 1.0 Adc, I = 125 mAdc)  
V
CE(sat)  
—
—
0.7  
1.3  
Vdc  
Vdc  
C
B
Base–Emitter On Voltage (I = 1.0 Adc, V  
C
= 4.0 Vdc)  
V
BE(on)  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product (2)  
f
3.0  
20  
—
—
MHz  
—
T
(I = 200 mAdc, V  
C CE  
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)  
test  
Small–Signal Current Gain (I = 0.2 Adc, V  
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
h
fe  
C
CE  
(1) Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle 2.0%.  
(2) f = h • f  
.
T
fe test  
(3) This rating based on testing with L = 20 mH, R  
C
= 100 Ω, V = 10 V, I = 1.8 A, P.R.F = 10 Hz.  
CC C  
BE  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
1234

中文翻译

下载PDF

与TIP30B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP30B16 MOTOROLA

获取价格

 		1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30B16A MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP30B-6200 RENESAS

获取价格

 		3A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30B-6203 RENESAS

获取价格

 		3A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30B-6226 RENESAS

获取价格

 		3A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30B-6258 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP30B-6261 RENESAS

获取价格

 		3A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30B-6263 RENESAS

获取价格

 		3A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30B-6264 RENESAS

获取价格

 		3A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP30B-6265 RENESAS

获取价格

 		3A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

与TIP30B相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证