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TIP29B

更新时间： 2024-09-24 22:42:15

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POINN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	89K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP29B 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.59
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TIP29B 数据手册

TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

JULY 1968 - REVISED MARCH 1997

●

Designed for Complementary Use with the

TIP30 Series

TO-220 PACKAGE

(TOP VIEW)

●

30 W at 25°C Case Temperature

1 A Continuous Collector Current

3 A Peak Collector Current

Customer-Specified Selections Available

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRACA

absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

TIP29

TIP29A

TIP29B

TIP29C

TIP29

100

Collector-base voltage (I_E= 0)

Collector-emitter voltage (I_B= 0)

V_CBO

120

140

TIP29A

TIP29B

TIP29C

V_CEO

100

Emitter-base voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Continuous collector current

Peak collector current (see Note 1)

Continuous base current

0.4

Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)

Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)

Unclamped inductive load energy (see Note 4)

P_tot

°C

½LI_C

Operating junction temperature range

T_j

T_stg

T_L

-65 to +150

250

Storage temperature range

Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds

NOTES: 1. This value applies for t_p£ 0.3 ms, duty cycle £ 10%.

2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.24 W/°C.

3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.

4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, I_B(on)= 0.4 A, R_BE= 100 W,

V_BE(off)= 0, R_S= 0.1 W, V_CC= 20 V.

P R O D U C T

I N F O R M A T I O N

Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance

with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not

necessarily include testing of all parameters.

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TIP29B-6200	RENESAS	获取价格	3A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP29B-6203	RENESAS	获取价格	3A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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TIP29B-6264	RENESAS	获取价格	3A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP29B-6265	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP29BA	MOTOROLA	获取价格	1A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP29BAF	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti

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