5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.1 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TIP29CG | ONSEMI |
功能相似  |
Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
|
| TIP32AG | ONSEMI |
功能相似 |
Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
|
| TIP29A | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIP29A-6200 | RENESAS |
获取价格 |
3A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP29A-6203 | RENESAS |
获取价格 |
3A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP29A-6226 | RENESAS |
获取价格 |
3A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP29A-6255 | RENESAS |
获取价格 |
3A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP29A-6261 | RENESAS |
获取价格 |
3A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP29A-6263 | RENESAS |
获取价格 |
3A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP29A-6264 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| TIP29A-6265 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| TIP29A-BP | MCC |
获取价格 |
1.0 Amp Complementary Silicon Power Transistors |
|
| TIP29A-BP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
