TIP161

更新时间： 2024-01-29 15:05:47

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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TIP161 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.43	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	350 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TIP161 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

TIP160/161/162

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·DARLINGTON

·10A rated continuous collector current

APPLICATIONS

·For use in automotive ignition,switching

and motor control applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

320

350

380

320

350

380

UNIT

TIP160

TIP161

TIP162

TIP160

TIP161

TIP162

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-Pulse

Base current-DC

Open collector

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

125

150

-65~150

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.0

℃/W

12 3

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