TIP145

更新时间： 2024-02-20 14:34:37

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2页	94K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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TIP145 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	TO-3P, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TIP145 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

TIP146

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min)@ I_C= -5A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= -80V(Min)

·Complement to Type TIP141

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier and low

frequency switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-80

UNIT

-80

-5

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current- Continuous

-10

I_CM

-15

I_B

-0.5

125

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

1.0

℃/W

35.7 ℃/W

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

R_{th j-c}

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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