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TIP142TJ69Z

更新时间： 2024-11-04 19:54:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 101K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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TIP142TJ69Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.015
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：500
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TIP142TJ69Z 数据手册

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TIP140T/141T/142T  
Monolithic Construction With Built In Base-  
Emitter Shunt Resistors  
•
•
•
High DC Current Gain : h = 1000 @ V = 4V, I = 5A (Min.)  
Industrial Use  
Complement to TIP145T/146T/147T  
FE CE C  
1
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Equivalent Circuit  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage : TIP140T  
60  
80  
100  
V
V
V
CBO  
: TIP141T  
: TIP142T  
B
Collector-Emitter Voltage : TIP140T  
60  
80  
100  
V
V
V
V
V
: TIP141T  
: TIP142T  
CEO  
EBO  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
5
10  
V
A
R1  
R2  
I
I
I
C
E
ꢀꢀ ꢁꢁΩ  
ꢀꢂ ꢃꢄꢀꢂꢁΩ  
15  
A
CP  
B
0.5  
A
P
Collector Dissipation (T =5°C)  
80  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP140T  
: TIP141T  
: TIP142T  
I
= 30mA, I = 0  
60  
80  
100  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP140T  
CEO  
V
V
V
= 30V, I = 0  
2
2
2
mA  
mA  
mA  
CE  
CE  
CE  
B
: TIP141T  
: TIP142T  
= 40V, I = 0  
B
= 50V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP140T  
CBO  
V
V
V
= 60V, I = 0  
1
1
1
mA  
mA  
mA  
CB  
CB  
CB  
E
: TIP141T  
: TIP142T  
= 80V, I = 0  
E
= 100V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
2
mA  
mA  
EBO  
BE  
C
h
V
V
= 4V, I = 5A  
1000  
500  
FE  
CE  
CE  
C
=4V, I = 10A  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 5A, I = 10mA  
2
3
V
V
CE  
C
C
B
= 10A, I = 40mA  
B
V
V
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Delay Time  
I
= 10A, I = 40mA  
3.5  
3
V
BE  
BE  
C
B
V
V
I
I
= 4V, I = 10A  
V
CE  
C
t
t
t
t
= 30V, I = 5A  
0.15  
0.55  
2.5  
µs  
µs  
µs  
µs  
D
CC  
C
= 20mA  
= -20mA  
Rise Time  
B1  
R
B2  
Storage Time  
STG  
F
R = 6Ω  
L
Fall Time  
2.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. B, February 2000  
1234

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与TIP142TJ69Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP142TLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plas
TIP142TNPN CDIL

获取价格

 		SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS
TIP142TTU ONSEMI

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 		NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor, 1000-TUBE
TIP142TU ROCHESTER

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 		10A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3P, 3 PIN
TIP142U BL Galaxy Electrical

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 		100V,10A,Complementary Power Darlington Transistor
TIP145 ISC

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 		isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
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TIP145 TRSYS

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TIP145 Wing Shing

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 		SILICON DARLINGTON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL(HIGH DC CURRENT GAIN)

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