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TIP127

更新时间: 2024-10-01 14:53:15
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19页 311K
描述
5A,100V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington

TIP127 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.08
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):65 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):4 MHz
VCEsat-Max:4 VBase Number Matches:1

TIP127 数据手册

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