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TIP127

更新时间： 2024-02-29 17:52:24
品牌 Logo 应用领域
WEITRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 738K
描述
PNP/NPN Silicon Power Transistor

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TIP127 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.59外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：75 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

TIP127 数据手册

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TIP120 Series  
PNP/NPN Silicon Power Transistor  
P b  
Lead(Pb)-Free  
1
2
3
FEATURES:  
* Medium Power Complementary silicon transistors  
* TIP120,121,122 Darlington TRANSISTOR (NPN)  
* TIP125,126,127 Darlington TRANSISTOR (PNP)  
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
TO-220  
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
TIP122  
TIP127  
TIP120  
TIP125  
TIP121  
TIP126  
Parameter  
Symbol  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
60  
80  
80  
5
100  
V
V
VCEO  
VEBO  
IC  
100  
V
A
Collector Current -Continuous  
5
W
PC  
2
Collector Power Dissipation  
RӨJA  
RӨJC  
TJ  
℃/W  
℃/W  
℃
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Thermal Resistance Junction to Case  
Junction Temperature  
62.5  
1.92  
150  
Tstg  
℃
Storage Temperature  
-55-150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Symbol  
Test  
conditions  
MIN  
MAX  
UNIT  
Parameter  
TIP120,TIP125  
TIP121,TIP126  
TIP122,TIP127  
60  
80  
100  
Collector-base breakdown voltage  
V(BR)CBO  
IC=1mA, I  
V
E=0  
60  
80  
100  
TIP120,TIP125  
TIP121,TIP126  
TIP122,TIP127  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V
VCEO(SUS)  
IC=30mA, I  
B=0  
TIP120,TIP125  
TIP121,TIP126  
TIP122,TIP127  
V
CB=60V, I  
CB=80V, I  
E=0  
E=0  
ICBO  
V
0.2  
mA  
VCB=100V, IE =0  
TIP120,TIP125  
TIP121,TIP126  
TIP122,TIP127  
VCE=30V, IB=0  
Collector cut-off current  
ICEO  
=0  
VCE=40V, IB  
0.5  
2
mA  
mA  
VCE=50V, IB=0  
VEB=5V, IC=0  
IEBO  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
hFE(1)  
VCE=3V, I  
VCE=3V, I  
C=0.5A  
1000  
1000  
hFE(2)  
VCE (sat)  
VBE  
C=3A  
IC=3A, IB =12mA  
IC=5A, IB =20mA  
2
4
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
VCE=3V, I  
C=3A  
2.5  
VCB=10V, IE=0A  
f = 0.1MHz  
300  
200  
TIP125,TIP126,TIP127  
TIP120,TIP121,TIP122  
pF  
Output Capacitance  
Cob  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
1/3  
19-Aug-10  
123

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