TIP125

更新时间： 2024-01-26 15:08:44

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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Si-Epitaxial PlanarTransistors

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TIP125 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	65 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz

TIP125 数据手册

TIP125, TIP126, TIP127

PNP

Darlington Transistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial PlanarTransistoren

Version 2004-07-01

Collector current – Kollektorstrom

5 A

Plastic case

TO-220AB

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

2.2 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

1 = B1 2 = C2 3 = E2

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

TIP125

60 V

TIP126

80 V

TIP127

100 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

60 V

80 V

50 V

Power dissipation – Verlustleistung

without cooling – ohne Kühlung

with cooling – mit Kühlung

P_tot

2 W ¹)

65 W

T_C= 25°C P_tot

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I_CM

Collector current – Kollektorstrom (dc)

5 A

8 A

Base current – Basisstrom (dc)

- I_B

T_j

120 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

- 65…+ 150°C

T_S

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom

I_B= 0, - V_CE= 30 V

I_B= 0, - V_CE= 40 V

I_B= 0, - V_CE= 50 V

TIP125

TIP126

TIP127

- I_CE0

–

500 nA

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, - V_CB= 60 V

I_E= 0, - V_CB= 80 V

I_E= 0, - V_CB= 100 V

TIP125

TIP126

TIP127

- I_CB0

–

200 nA

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

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