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TIP125

更新时间： 2024-01-17 22:12:47

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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4页	171K
描述
Silicon PNP Darlington Power Transistors

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TIP125 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	65 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz

TIP125 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Darlington Power Transistors

TIP125/126/127

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·DARLNGTON

·High DC durrent gain

·Low collector saturation voltage

·Complement to type TIP120/121/122

APPLICATIONS

·Designed for general–purpose amplifier

and low–speed switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

TIP125

TIP126

TIP127

TIP125

TIP126

TIP127

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-80

-100

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-Pulse

Base current-DC

Open collector

-5

-8

-120

T_C=25℃

T_a=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

℃

T_stg

12 3 4

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