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TIP122

更新时间: 2024-09-24 14:53:15
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19页 311K
描述
5A,100V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington

TIP122 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.11
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):1000
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):65 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzBase Number Matches:1

TIP122 数据手册

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