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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP112TU
TIP112TU PDF预览

TIP112TU

更新时间： 2024-11-04 13:14:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体电阻器晶体管开关PC局域网
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor, TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB, 1000/RAIL

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TIP112TU 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.08
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：500JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TIP112TU 数据手册

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TIP110/111/112  
Monolithic Construction With Built In Base-  
Emitter Shunt Resistors  
•
•
•
•
Complementary to TIP115/116/117  
High DC Current Gain : h =1000 @ V =4V, I =1A(Min.)  
FE  
CE  
C
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Industrial Use  
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Equivalent Circuit  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage : TIP110  
60  
80  
100  
V
V
V
CBO  
: TIP111  
: TIP112  
B
Collector-Emitter Voltage : TIP110  
60  
80  
100  
V
V
V
V
V
: TIP111  
: TIP112  
CEO  
EBO  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
5
V
A
R1  
R2  
I
I
I
2
C
4
A
E
CP  
B
R1 10 k Ω  
R2 0.6 k Ω  
50  
mA  
W
W
°C  
°C  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
2
50  
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP110  
: TIP111  
: TIP112  
I
= 30mA, I = 0  
60  
80  
100  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP110  
CEO  
V
V
V
= 30V, I = 0  
2
2
2
mA  
mA  
mA  
CE  
CE  
CE  
B
: TIP111  
: TIP112  
= 40V, I = 0  
B
= 50V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP110  
CBO  
V
V
V
= 60V, I = 0  
1
1
1
mA  
mA  
mA  
CB  
CB  
CB  
E
: TIP111  
: TIP112  
= 80V, I = 0  
E
= 100V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
2
mA  
EBO  
BE  
C
h
V
V
= 4V, I = 1A  
1000  
500  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 2A  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Output Capacitance  
I
= 2A, I = 8mA  
2.5  
2.8  
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= 4V, I = 2A  
C
CE  
CB  
C
= 10V, I = 0, f = 0.1MHz  
100  
pF  
ob  
E
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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TIP112TU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP112 FAIRCHILD

类似代替

 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
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功能相似

 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

与TIP112TU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP112U MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP112U2 MOTOROLA

获取价格

 		2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP112UA MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP112W MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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 		Silicon PNP Darlington Power Transistors
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