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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.63 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.06 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 500 | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIP112G-TN3-T | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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| TIP112L-T60-K | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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| TIP112L-TA3-T | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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| TIP112L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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| TIP112L-TN3-T | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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| TIP112N | MOTOROLA |
获取价格 |
2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| TIP112NPN | CDIL |
获取价格 |
PLASTIC POWER TRANSISTORS |
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| TIP112S | MOTOROLA |
获取价格 |
2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| TIP112T | MOTOROLA |
获取价格 |
2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| TIP112-TA3-T | UTC |
获取价格 |
Transistor |
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