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TIP112

更新时间： 2024-11-05 14:53:35
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页数 文件大小 规格书
6页 488K
描述
2A,100V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington

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TIP112 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.11
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：500JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：25 MHzBase Number Matches：1

TIP112 数据手册

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TIP112  
www.centralsemi.com  
NPN POWER DARLINGTON  
TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
2.0 AMP, 100 VOLT  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR TIP112 is a 100 volt  
NPN power darlington transistor designed for high gain  
applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-220 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
C
V
V
V
100  
100  
5.0  
2.0  
4.0  
50  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
A
C
I
A
CM  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
mA  
B
P
D
50  
W
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
JC  
T , T  
2.5  
-65 to +150  
Operating and Storage Junction Temperature  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=100V  
1.0  
mA  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CE  
EB  
=50V  
2.0  
2.0  
mA  
mA  
V
=5.0V  
BV  
I =30mA  
100  
CEO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
V
V
I =2.0A, I =8.0mA  
2.5  
2.8  
V
C
B
V
=4.0V, I =2.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
C
h
h
V
V
V
V
=4.0V, I =1.0A  
1000  
500  
C
=4.0V, I =2.0A  
FE  
C
C
=10V, I =0, f=0.1MHz  
100  
pF  
ob  
E
f
=10V, I =750mA, f=1.0MHz  
25  
MHz  
T
C
R0 (2-June 2022)  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP112 TO-220AB BL Galaxy Electrical

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 		100V,2A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
TIP112_12 UTC

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 		NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
TIP112_15 UTC

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 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
TIP11216 MOTOROLA

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 		2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP11216A MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP112-6203 RENESAS

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