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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 37.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIM5053-8SL | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM5359-16 | TOSHIBA |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM5359-16EL | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF POWER, FET, FET RF Power |
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| TIM5359-16L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, JFET, HERMETIC SEALED PACKAGE-2, FET RF Power |
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| TIM5359-16SL | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM5359-16UL | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM5359-35SL | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM5359-4 | TOSHIBA |
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POWER GAAS FET |
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| TIM5359-45SL | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE SEMICONDUCTOR |
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| TIM5359-4SL | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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