是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , 3317 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.92 | 电容: | 47 µF |
电容器类型: | TANTALUM CAPACITOR | 介电材料: | TANTALUM (DRY/SOLID) |
高度: | 8.26 mm | 漏电流: | 0.005 mA |
长度: | 8.26 mm | 安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT |
负容差: | 20% | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装形状: | RECTANGULAR PACKAGE | 封装形式: | Radial |
包装方法: | TR, 14 INCH | 极性: | POLARIZED |
正容差: | 20% | 额定(直流)电压(URdc): | 10 V |
纹波电流: | 120 mA | 尺寸代码: | 3317 |
表面贴装: | NO | Delta切线: | 0.06 |
端子节距: | 5.08 mm | 端子形状: | WIRE |
宽度: | 4.32 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TIM4951-4 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power | |
TIM4951-8 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power | |
TIM5053-16 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-16G1B, 3 PIN, FET RF Power | |
TIM5053-16L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-16G1B, 3 PIN, FET RF Power | |
TIM5053-16SL | TOSHIBA |
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MICROWAVE POWER GaAs FET | |
TIM5053-30L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-16G1B, 3 PIN, FET RF Power | |
TIM5053-35SL | TOSHIBA |
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MICROWAVE POWER GaAs FET | |
TIM5053-4 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power | |
TIM5053-4SL | TOSHIBA |
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MICROWAVE POWER GaAs FET | |
TIM5053-8 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power |