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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 15 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TIM3742-45SL-341 | TOSHIBA |
功能相似  |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM3742-16SL-341 | TOSHIBA |
功能相似 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIM3742-16SL-341 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM3742-16UL | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER P1dB=42.5dBm at 3.7GHz to 4.2GHz |
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| TIM3742-25UL | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM3742-30SL | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 2 PIN, FET |
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| TIM3742-30SL_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
IM3=-45 dBc at Po= 34.5 dBm, Single Carrier Level |
|
| TIM3742-30SL-341 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM3742-30SL-341_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM3742-35SL | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM3742-4 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power |
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| TIM3742-45SL-341 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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