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TICC107MR-S

更新时间： 2024-09-25 14:45:11

品牌	Logo	应用领域
伯恩斯 - BOURNS		栅光电二极管栅极
页数	文件大小	规格书
3页	126K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, ROHS COMPLIANT, 4 PIN

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TICC107MR-S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

TICC107MR-S 数据手册

TICC107M

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

TICC107M Silicon Controlled Rectifier

1 A RMS On-State Current

Glass Passivated Wafer

600 V Off-State Voltage

SOT-223 Package (Top View)

(Cathode)

50 µA min, 200 µA max.

(Anode)

(Gate)

(Anode)

Description

MD-SOT223-001-a

The TICC107M is a sensitive gate SCR designed for switching

loads up to 1 Amp RMS. With a maximum gate trigger current of

200 µA the TICC107M can be controlled from very simple logic

circuits and analog driver circuits. Applications for this device

include capacitive discharge flash guns, ignitors and standby

power supplies.

Device Symbol

SD8XAA

How to Order

Order As

Device

Package

Carrier

Marking Code

Standard Quantity

TICC107M SOT-223

Embossed Tape Reeled

TICC107MR-S

107M

2500

Absolute Maximum Ratings over Operating Junction Temperature (Unless Otherwise Noted)

Rating

Repetitive peak off-state voltage (see Note 1)

Symbol

Value

600

Unit

V_DRM

V_RRM

I_T(RMS)

I_TSM

di/dt

I_GM

Repetitive peak reverse voltage

RMS on-state current at (or below) 55 °C ambient temperature, 180 ° conduction angle (see Note 2)

Non-repetitive peak on-state current at (or below) 25 °C ambient temperature (see Note 3)

Critical rate of rise of on-state current at 110 °C (see Note 4)

Peak positive gate current (pulse width ≤ 300 µs)

22.5

100

0.2

A/µs

Junction temperature

T_J

-40 to +110 °C

-40 to +125 °C

Storage temperature range

T_stg

NOTES: 1. This value applies when the gate-cathode resistance R_GK= 1 kΩ.

2. Device mounted to achieve a junction to ambient thermal resistance of 70 °C/W.

3. This value applies for one 50 Hz half-sine-wave. The surge may be repeated when the device returns to its initial conditions.

4. Rate of rise of on-state current after triggering with I_G= 10 mA, di_G/dt = 1 A/µs.

*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003 including Annex

APRIL 2005 — REVISED JANUARY 2007

Specifications are subject to change without notice.

Customers should verify actual device performance in their specific applications.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TICHAL16L8-35CDW	TI	获取价格	MASK PLD, 35ns, PDSO20
TICHAL16L8-35CFN	TI	获取价格	MASK PLD, 35ns, PQCC20
TICHAL16L8-35CN	TI	获取价格	MASK PLD, 35ns, PDIP20
TICHAL16R4-35CDW	TI	获取价格	MASK PLD, 35ns, PDSO20
TICHAL16R4-35CFN	TI	获取价格	MASK PLD, 35ns, PQCC20
TICHAL16R4-35CN	TI	获取价格	MASK PLD, 35ns, PDIP20
TICHAL16R6-35CDW	TI	获取价格	MASK PLD, 35ns, PDSO20
TICHAL16R6-35CFN	TI	获取价格	MASK PLD, 35ns, PQCC20
TICHAL16R6-35CN	TI	获取价格	MASK PLD, 35ns, PDIP20
TICHAL16R8-35CDW	TI	获取价格	MASK PLD, 35ns, PDSO20

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