是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.29 | 换向电压的临界上升率-最小值: | 5 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 5 mA | 最大直流栅极触发电压: | 2.2 V |
最大维持电流: | 30 mA | 最大漏电流: | 2 mA |
最高工作温度: | 110 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大均方根通态电流: | 6 A |
断态重复峰值电压: | 500 V | 子类别: | TRIACs |
表面贴装: | NO | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | TRIAC | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TIC216M | COMSET |
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SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR | |
TIC216M | ASI |
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TRIAC, 600V V(DRM), 6A I(T)RMS, | |
TIC216M | POINN |
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SILICON TRIACS | |
TIC216M | TI |
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SILICON TRIACS | |
TIC216M | NJSEMI |
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Thyristor TRIAC 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | |
TIC216M-S | BOURNS |
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4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 6A I(T)RMS, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | |
TIC216N | POINN |
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SILICON TRIACS | |
TIC216N | TI |
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SILICON TRIACS | |
TIC216N | COMSET |
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SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR | |
TIC216N | ASI |
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TRIAC, 800V V(DRM), 6A I(T)RMS, |