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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | SENSITIVE GATE |
| 外壳连接： | MAIN TERMINAL 2 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 5 mA | 最大直流栅极触发电压： | 2.2 V |
| 最大维持电流： | 30 mA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 最大漏电流： | 2 mA | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 110 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 6 A | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 子类别： | TRIACs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIC216D-S | BOURNS |
获取价格 |
4 Quadrant Logic Level TRIAC, 400V V(DRM), 6A I(T)RMS, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
|
| TIC216E | TI |
获取价格 |
SILICON TRIACS |
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| TIC216E | ASI |
获取价格 |
TRIAC, 500V V(DRM), 6A I(T)RMS, |
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| TIC216M | COMSET |
获取价格 |
SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR |
|
| TIC216M | ASI |
获取价格 |
TRIAC, 600V V(DRM), 6A I(T)RMS, |
|
| TIC216M | POINN |
获取价格 |
SILICON TRIACS |
|
| TIC216M | TI |
获取价格 |
SILICON TRIACS |
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| TIC216M | NJSEMI |
获取价格 |
Thyristor TRIAC 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| TIC216M-S | BOURNS |
获取价格 |
4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 6A I(T)RMS, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
|
| TIC216N | POINN |
获取价格 |
SILICON TRIACS |
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