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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.12 |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 100 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 20 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V | 最大维持电流： | 40 mA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 最大漏电流： | 2 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 100 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 12000 A |
| 最高工作温度： | 110 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 12 A |
| 断态重复峰值电压： | 600 V | 重复峰值反向电压： | 600 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| S6012RTP | LITTELFUSE |
功能相似  |
Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, |
|
| TN1215-600G | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
SCR |
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| TN1215-600G-TR | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIC126M-S | BOURNS |
获取价格 |
TIC126 SERIES SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
|
| TIC126N | POINN |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
|
| TIC126N | COMSET |
获取价格 |
P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS |
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| TIC126N | NJSEMI |
获取价格 |
Thyristor SCR 800V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| TIC126N-S | BOURNS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 800V V(DRM) |
|
| TIC126S | COMSET |
获取价格 |
P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS |
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| TIC126S | POINN |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| TIC126S-S | BOURNS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| TIC201 | POINN |
获取价格 |
SILICON TRIACS |
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| TIC201A | TI |
获取价格 |
TRIAC, TRIAC,100V V(DRM),2.5A I(T)RMS,TO-220 |
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