生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP-24 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.2 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | REGISTER PRELOAD; POWER-UP RESET |
架构: | PAL-TYPE | 最大时钟频率: | 28.5 MHz |
系统内可编程: | NO | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
JTAG BST: | NO | 长度: | 32.005 mm |
专用输入次数: | 12 | I/O 线路数量: | 4 |
输入次数: | 16 | 输出次数: | 8 |
产品条款数: | 64 | 端子数量: | 24 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 12 DEDICATED INPUTS, 4 I/O | 输出函数: | MIXED |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 包装方法: | TUBE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
可编程逻辑类型: | OT PLD | 传播延迟: | 25 ns |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
子类别: | Programmable Logic Devices | 最大供电电压: | 5.5 V |
最小供电电压: | 4.5 V | 标称供电电压: | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | TTL |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
5962-8767104LA | TI |
完全替代 |
高性能 Impact PAL 电路 | JT | 24 | -55 to 125 | |
8412904LA | TI |
完全替代 |
高性能 Impact PAL 电路 | JT | 24 | -55 to 125 | |
TIBPAL20R4-20MJTB | TI |
完全替代 |
暂无描述 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TIBPAL20R4-20MJTB | TI |
获取价格 |
暂无描述 | |
TIBPAL20R4-20MW | TI |
获取价格 |
HIGH-PERFORMANCE IMPACT E PAL CIRCUITS | |
TIBPAL20R4-20MWB | TI |
获取价格 |
High-Performance Impact<TM> PAL<R> Circuits 24-CFP -55 to 125 | |
TIBPAL20R4-25C | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTERGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TIBPAL20R4-25C | TI |
获取价格 |
LOW-POWER HIGH-PERFORMANCE IMPACT PAL CIRCUITS | |
TIBPAL20R4-25CFN | TI |
获取价格 |
LOW-POWER HIGH-PERFORMANCE IMPACT E PAL CIRCUITS | |
TIBPAL20R4-25CFN | ROCHESTER |
获取价格 |
OT PLD, 25ns, TTL, PQCC28, PLASTIC, CC-28 | |
TIBPAL20R4-25CJT | TI |
获取价格 |
LOW-POWER HIGH-PERFORMANCE IMPACT E PAL CIRCUITS | |
TIBPAL20R4-25CNL | TI |
获取价格 |
OT PLD, 25ns, PQCC28 | |
TIBPAL20R4-25CNT | TI |
获取价格 |
LOW-POWER HIGH-PERFORMANCE IMPACT E PAL CIRCUITS |