生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.38 |
Is Samacsys: | N | 系列: | ALS |
JESD-30 代码: | R-GDFP-F14 | 长度: | 9.21 mm |
负载电容(CL): | 50 pF | 逻辑集成电路类型: | NAND GATE |
最大I(ol): | 0.004 A | 功能数量: | 2 |
输入次数: | 4 | 端子数量: | 14 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DFP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大电源电流(ICC): | 1.5 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 13 ns | 传播延迟(tpd): | 12.5 ns |
认证状态: | Qualified | 施密特触发器: | NO |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 2.03 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | TTL | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 6.29 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8858901DX | ETC | Dual 4-input NAND Gate |
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5962-8859001FA | TI | 军用单路 13 输入、4.5V 至 5.5V 双极与非门 | W | 16 | -55 t |
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5962-8859001FX | ETC | Single 13-input NAND Gate |
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5962-8859101SA | TI | OCTAL BUFFERS/DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS |
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5962-8859101SX | ETC | Dual 4-Bit Inverting Buffer/Driver |
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5962-88593012X | ETC | Voltage-Feedback Operational Amplifier |
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