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1N6099T50R

更新时间: 2024-02-28 05:09:36
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 148K
描述
150V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N6099T50R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:150 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N6099T50R 数据手册

 浏览型号1N6099T50R的Datasheet PDF文件第2页 

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