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Datasheet > 光电 > 光电晶体管> 1N5723

1N5723 PDF预览

1N5723

更新时间： 2024-01-21 13:59:18

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		晶体光电晶体管光电晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	260K
描述
N-P-N PLANAR SILICON PHOTOTRANSISTORS

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1N5723 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	50 V	配置：	SINGLE
最大暗电源：	25 nA	红外线范围：	YES
标称光电流：	2 mA	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-60 °C	光电设备类型：	PHOTO TRANSISTOR
峰值波长：	900 nm	最大功率耗散：	0.05 W
最长响应时间：	0.0000015 s	形状：	ROUND
子类别：	Photo Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

1N5723 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5724	TI	N-P-N PLANAR SILICON PHOTOTRANSISTORS	获取价格
1N5725	TI	N-P-N PLANAR SILICON PHOTOTRANSISTORS	获取价格
1N5728	MICROSEMI	SILICON 400 mW ZENER DIODES	获取价格
1N5728	NJSEMI	Diode Zener Single 4.7V 20% 500mW 2-Pin DO-35	获取价格
1N5728-1	MICROSEMI	Zener Diode, 4.7V V(Z), 20%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GL	获取价格
1N5728-1E3	MICROSEMI	Zener Diode, 4.7V V(Z), 20%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GL	获取价格

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