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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 2 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 36 V |
| 最大反向电流： | 0.025 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N482B | TI | 0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| 1N482B | NJSEMI | SI RECTIFIER, 100MA < I(O)/I(F) < 200MA |
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| 1N482B | MICROSEMI | High Conductance DO-35 Diodes |
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| 1N482BM | ETC | silicon diode |
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| 1N482BR | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, |
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| 1N482BX | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, |
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