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1N457.TR

更新时间： 2024-02-08 20:58:46

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德州仪器 - TI		/
页数	文件大小	规格书
2页	36K
描述
0.2A, 70V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

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技术参数
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1N457.TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.69	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	70 V
最大反向电流：	0.025 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N457.TR 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

1N/FDLL 456/A - 1N/FDLL 459/A

COLOR BAND MARKING

DEVICE 1ST BAND 2ND BAND

FDLL456

FDLL456A BROWN

BROWN

WHITE

BLACK

BROWN

RED

FDLL457 RED

FDLL457A RED

FDLL458 RED

FDLL458A RED

RED

FDLL459A RED

LL-34

FDLL459

THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP

HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION

OF THE CATHODE TERMINAL

DO-35

RED

High Conductance Low Leakage Diode

Sourced from Process 1M.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

W_IV

Working Inverse Voltage

456/A

457/A

458/A

459/A

125

175

200

I_O

Average Rectified Current

DC Forward Current

I_F

500

600

Recurrent Peak Forward Current

i_f

Peak Forward Surge Current

Pulse width = 1.0 second

Pulse width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

i_f(surge)

1.0

4.0

-65 to +200

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

175

°C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

1N / FDLL 456/A - 459/A

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

500

3.33

300

mW/°C

°C/W

R_θ

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与1N457.TR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N457/A	ETC	LOW LEAKAGE DIODES	获取价格
1N457_10	MICROSEMI	SWITCHING DIODE	获取价格
1N4570	NJSEMI	TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES	获取价格
1N4570	MICROSEMI	6.4 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES	获取价格
1N4570	CDI-DIODE	6.4 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE + 5%	获取价格
1N4570	MOTOROLA	6.4V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-204AH	获取价格