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1N456

更新时间: 2024-02-24 03:47:28
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德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 107K
描述
0.09A, SILICON, SIGNAL DIODE

1N456 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.66外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向电流:0.025 µA最大反向恢复时间:0.01 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N456 数据手册

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