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1N4448T26R

更新时间: 2024-02-01 02:10:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 148K
描述
100V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N4448T26R 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.58Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N4448T26R 数据手册

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