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1N4446.TR

更新时间: 2024-01-22 22:43:44
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德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
DIODE 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode

1N4446.TR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.44
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.004 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N4446.TR 数据手册

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