是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.44 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 2 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最大输出电流: | 0.15 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 100 V | 最大反向恢复时间: | 0.004 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N4446/A52R | NXP | DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SC-40, 2 PIN, Sig |
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1N4446136 | NXP | DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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1N4446-1E3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
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1N4446BK | CENTRAL | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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1N4446BKLEADFREE | CENTRAL | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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1N4446FV | ROHM | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
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