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1N4151.TR

更新时间: 2024-02-17 13:33:21
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德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
75V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N4151.TR 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:O-XALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-XALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压:75 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子面层:NOT SPECIFIED
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N4151.TR 数据手册

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