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1601ALMQB35

更新时间: 2024-02-18 04:13:58
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 553K
描述
IC,SRAM,64KX1,CMOS,LLCC,22PIN,CERAMIC

1601ALMQB35 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC22,.3X.5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:35 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XQCC-N22JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:22
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC22,.3X.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.0002 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.09 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

1601ALMQB35 数据手册

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