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100415FCQR10

更新时间: 2024-01-06 08:09:20
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德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
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1页 42K
描述
100415FCQR10

100415FCQR10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DFP, FL16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:10 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDFP-F16
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
负电源额定电压:-4.5 V端子数量:16
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:1KX1
输出特性:OPEN-EMITTER封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DFP封装等效代码:FL16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:-4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.2 mA
表面贴装:YES技术:ECL100K
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

100415FCQR10 数据手册

  

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