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100415DCQR10

更新时间: 2024-02-12 02:41:20
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德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
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1页 42K
描述
100415DCQR10

100415DCQR10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:10 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDIP-T16
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
负电源额定电压:-4.5 V端子数量:16
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:1KX1
输出特性:OPEN-EMITTER封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:-4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.2 mA
表面贴装:NO技术:ECL100K
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

100415DCQR10 数据手册

  

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