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THS4275DRBT PDF预览

THS4275DRBT

更新时间： 2024-11-15 22:53:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
38页 1052K
描述
LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIER

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THS4275DRBT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MSOP
包装说明：MSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.74Is Samacsys：N
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER架构：VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：8 µA标称带宽 (3dB)：40 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：15 µA最小共模抑制比：67 dB
标称共模抑制比：72 dB频率补偿：YES
最大输入失调电流 (IIO)：8 µA最大输入失调电压：10000 µV
JESD-30 代码：S-PDSO-N8JESD-609代码：e4
长度：3 mm低-偏置：NO
低-失调：NO微功率：NO
湿度敏感等级：2负供电电压上限：-8.25 V
标称负供电电压 (Vsup)：-5 V功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVSON封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260功率：NO
可编程功率：NO认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm标称压摆率：1000 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：24 mA
供电电压上限：8.25 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED标称均一增益带宽：1400000 kHz
最小电压增益：1412.5宽带：YES
宽度：3 mmBase Number Matches：1

THS4275DRBT 数据手册

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www.ti.com  
SLOS397E − JULY 2002 − REVISED JANUARY 2004  
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FEATURES  
APPLICATIONS  
D
Unity Gain Stability  
D
D
D
D
D
High Linearity ADC Preamplifier  
D
Low Voltage Noise  
− 3 nV/√Hz  
High Slew Rate: 1000 V/µs  
Low Distortion  
Wireless Communication Receivers  
Differential to Single-Ended Conversion  
DAC Output Buffer  
D
D
− −92 dBc THD at 30 MHz  
Active Filtering  
D
Wide Bandwidth: 1.4 GHz  
D
Supply Voltages  
− +5 V, 5 V, +12 V, +15 V  
THS4271  
D
D
Power Down Functionality (THS4275)  
Evaluation Module Available  
NC  
IN−  
IN+  
NC  
V +  
1
2
3
4
8
7
6
5
S
V
OUT  
DESCRIPTION  
V
NC  
S−  
The THS4271 and THS4275 are low-noise, high slew rate,  
unity gain stable voltage feedback amplifiers designed to  
run from supply voltages as low as 5 V and as high as 15 V.  
The THS4275 offers the same performance as the  
THS4271 with the addition of power down capability. The  
combination of low-noise, high slew rate, wide bandwidth,  
low distortion, and unity gain stability make the THS4271  
and THS4275 high performance devices across multiple  
ac specifications.  
RELATED DEVICES  
DEVICE  
DESCRIPTION  
THS4211  
THS4503  
THS3202  
1-GHz voltage feedback amplifier  
Wideband fully differential amplifier  
Dual, wideband current feedback amplifier  
Designers using the THS4271 are rewarded with higher  
dynamic range over a wider frequency band without the  
stability concerns of decompensated amplifiers. The  
devices are available in SOIC, MSOP with PowerPAD,  
and leadless MSOP with PowerPADpackages.  
HARMONIC AND INTERMODULATION  
DISTORTION  
vs  
FREQUENCY  
−40  
Low-Noise, Low-Distortion, Wideband Application Circuit  
Gain = 2  
R = 249 Ω  
f
−50  
−60  
R
L
= 150 Ω  
+5 V  
50 Ω Source  
V
V
= 2 V  
=
O
S
PP  
5 V  
50 Ω  
IMD  
3
200 kHz Tone Spacing  
= 2 V Envelope  
+
V
−70  
O
PP  
V
O
THS4271  
_
V
I
49.9 Ω  
249 Ω  
−80  
HD2  
−90  
HD3  
−5 V  
−100  
1
10  
f − Frequency − MHz  
100  
249 Ω  
NOTE: Power supply decoupling capacitors not shown  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas Instruments  
semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PowerPAD is a trademark of Texas Instruments.  
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Copyright 2002 − 2004, Texas Instruments Incorporated  
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THS4275DRBT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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与THS4275DRBT相关器件

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