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THMD51E30B75

更新时间: 2024-11-21 20:11:07
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东芝 - TOSHIBA 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 791K
描述
IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM

THMD51E30B75 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:4831838208 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:184
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX72
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

THMD51E30B75 数据手册

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